2025-11-21
手机快充“芯”突破！emc全站EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点
ET3565支持1.0 V至5.5 V的宽输入电压范围，集成电荷泵驱动NMOS管以实现更低的导通阻抗，最高持续电流可达3A。接口电路支持最新的1.2V I/O标准，以满足各类平台应用场景。
ET3565可以选择IN/OUT双向供电，必要时可以通过关闭ON启动RCP来单侧供电，从而实现控制时序和降低功耗的效果。
产品特性
集成N-Channel FET
输入电压范围：1.0V to 5.5V
超低导通内阻：17mΩ @ VIN = 5.5V
开关最大持续导通电流：4A
支持防反灌功能：Off RCB
支持1.2V GPIO控制电平
带输出软起功能
封装：CSP6（1.36mm*0.86mm*0.55mm）
管脚定义
典型应用
